【48812】台积电请求半导体设备及栅极结构的构成办法专利经过硬覆盖层阻隔栅极结构以防止产生铝氧化
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【48812】台积电请求半导体设备及栅极结构的构成办法专利经过硬覆盖层阻隔栅极结构以防止产生铝氧化

发布时间:2024-05-17 作者: 江南直播体育app下载官方

  金融界2024年4月27日音讯,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制作股份有限公司请求一项名为“半导体设备及栅极结构的构成办法“,公开号CN117936571A,请求日期为2023年12月。

  专利摘要显现,本揭穿关于一种半导体设备及栅极结构的构成办法。此构成办法包括:构成栅极结构的界面层及高k值介电层;构成N型金属层于高k值介电层上;构成硬覆盖层于N型金属层上,一起经过氟钝化强化高k值介电层;图画化在硬覆盖层上的光阻资料,以于P型晶体管上暴露出硬覆盖层的一部分;使用高选择性化学试剂经过湿式蚀刻操作移除于P型晶体管上的N型金属层及硬覆盖层,前述化学试剂对硬覆盖层及N型金属层具有高选择性;移除图画化光阻资料,一起经过硬覆盖层阻隔栅极结构,以防止产生铝氧化;以及构成P型金属层于硬覆盖层及P型晶体管上。

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